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碩士研究生入學(xué)考試大綱
考試科目名稱:半導(dǎo)體物理 考試科目代碼:[806]
一、考試要求:
全面系統(tǒng)地掌握半導(dǎo)體物理的基本概念、基本原理和物理過程,并能夠運(yùn)用理論對(duì)實(shí)際問題進(jìn)行分析和計(jì)算。
二、考試內(nèi)容:
1)能帶論
a:半導(dǎo)體電子狀態(tài)和能帶
b:半導(dǎo)體電子的運(yùn)動(dòng)
c:本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)構(gòu)
d:硅和鍺的能帶結(jié)構(gòu)
2)雜質(zhì)半導(dǎo)體理論
a:硅和鍺晶體中的雜質(zhì)能級(jí)
b:缺陷、位錯(cuò)能級(jí)
3)載流子的統(tǒng)計(jì)分布
a:狀態(tài)密度與載流子的統(tǒng)計(jì)分布
b:本征與雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子濃度
c:一般情況下載流子統(tǒng)計(jì)分布
d:簡并半導(dǎo)體
4)半導(dǎo)體的導(dǎo)電性
a:載流子的漂移運(yùn)動(dòng)與散射運(yùn)動(dòng)
b:遷移率、電阻率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系
5)非平衡載流子
a:非平衡載流子的注入、復(fù)合與壽命
b:準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)
c:復(fù)合理論
d:陷阱效應(yīng)
e:電流密度方程
f:連續(xù)性方程
6)p-n結(jié)理論
a:p-n結(jié)及其能帶圖
b:p-n結(jié)電流電壓特性
7)金屬-半導(dǎo)體接觸理論
a:金-半接觸、能帶及整流理論
b:歐姆接觸
8)半導(dǎo)體表面理論
a:表面態(tài)及表面電場效應(yīng)
b:MIS結(jié)構(gòu)電容-電壓特性
c:硅-二氧化硅系統(tǒng)的性質(zhì)
d:表面電場對(duì)p-n結(jié)特性的影響
9)半導(dǎo)體光電效應(yīng)
a:半導(dǎo)體的光學(xué)常數(shù)和光吸收
b:半導(dǎo)體的光電導(dǎo)效應(yīng)
c:半導(dǎo)體的光生伏特效應(yīng)
d:半導(dǎo)體發(fā)光和半導(dǎo)體激光
三、試卷結(jié)構(gòu):
a)考試時(shí)間:180分鐘,滿分:150分
b)題型結(jié)構(gòu)
a:概念簡答題(30分)
b:論述題(60分)
c:理論推導(dǎo)及應(yīng)用計(jì)算題(60分)
四、參考書目
1.劉恩科,半導(dǎo)體物理學(xué)(第四版),國防工業(yè)出版社
2.劉曉為等,固態(tài)電子論,電子工業(yè)出版社
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