太陽能光伏產(chǎn)業(yè)--直拉單晶硅工藝技術(shù)(黃有志)
- 所屬分類：
- 作者：
黃有志，王麗 主編
- 出版社：
化學(xué)工業(yè)出版社
- ISBN：9787122055002
- 出版日期：2009-7-1
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原價(jià)：
￥25.00元
現(xiàn)價(jià)：￥20.70元
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圖書簡介
本書共8章，包括：單晶硅的基本知識、直拉單晶爐、直拉單晶爐的熱系統(tǒng)及熱場、晶體生長控制器、原輔材料的準(zhǔn)備、直拉單晶硅生長技術(shù)、鑄錠多晶硅工藝、摻雜技術(shù)等內(nèi)容。
本書可作為高職高專太陽能光伏產(chǎn)業(yè)硅材料技術(shù)專業(yè)的教材，同時(shí)也可作為中專、技校和從事單晶硅生產(chǎn)的企業(yè)員工的培訓(xùn)教材，還可供相關(guān)專業(yè)工程技術(shù)人員學(xué)習(xí)參考。
目錄
緒論
第1章 單晶硅的基本知識
1.1 晶體和非晶體
1.2 單晶和多晶
1.3 空間點(diǎn)陣和晶胞
1.4 晶面和晶向
1.5 晶體的熔化和凝固
1.6 結(jié)晶過程的宏觀特征
1.7 晶核的形成
1.8 二維晶核的形成
1.9 晶體的長大
1.10 生長界面結(jié)構(gòu)模型
習(xí)題
第2章 直拉單晶爐
2.1 直拉單晶爐設(shè)備簡介
2.2 直拉單晶爐的結(jié)構(gòu)
2.3 機(jī)械部分
2.4 電氣部分
2.5 直拉單晶爐的工作環(huán)境
習(xí)題
第3章 直拉單晶爐的熱系統(tǒng)及熱場
3.1 熱系統(tǒng)
3.2 熱系統(tǒng)的安裝與對中
3.3 熱場
3.4 溫度梯度與單晶生長
3.5 熱場的調(diào)整
習(xí)題
第4章 晶體生長控制器
4.1 CGC－101A型晶體生長控制器功能簡介
4.2 CGC－101A型晶體生長控制器的開關(guān)狀態(tài)說明
4.3 CGC－101A型晶體生長控制器的鍵盤操作說明5
4.4 CGC－101A型晶體生長控制器參數(shù)設(shè)置及定義
4.5 CGC－101A型晶體生長控制器使用說明
習(xí)題
第5章 原輔材料的準(zhǔn)備
5.1 硅原料
5.2 石英坩堝
5.3 摻雜劑與母合金
5.4 其他材料
5.5 原輔材料的腐蝕和清洗
5.6 腐蝕原理及安全防護(hù)
5.7 自動硅料清洗機(jī)簡介
習(xí)題
第6章 直拉單晶硅生長技術(shù)
6.1 直拉單晶硅工藝流程
6.2 拆爐及裝料
6.3 抽空及熔料
6.4 引晶及放肩
6.5 轉(zhuǎn)肩及等徑
6.6 收尾及停爐
6.7 拉速、溫校曲線的設(shè)定
6.8 堝升速度的計(jì)算方法
6.9 異常情況及處理方法
習(xí)題
第7章 鑄錠多晶硅工藝
7.1 光伏產(chǎn)業(yè)簡介
7.2 鑄錠多晶硅爐的結(jié)構(gòu)
7.3 鑄錠多晶硅工藝流程
7.4 鑄錠多晶硅的優(yōu)缺點(diǎn)
習(xí)題
第8章 摻雜技術(shù)
8.1 雜質(zhì)
8.2 導(dǎo)電型號
8.3 熔硅中的雜質(zhì)效應(yīng)
8.4 雜質(zhì)的分凝效應(yīng)
8.5 Keff與K0的關(guān)系
8.6 結(jié)晶后固相中的雜質(zhì)分布規(guī)律
8.7 摻雜
習(xí)題
附錄1 硅的物理化學(xué)性質(zhì)（300K）
附錄2 硅中雜質(zhì)濃度和電阻率關(guān)系
附錄3 元素周期表
附錄4 立方晶系各晶面（或晶向）間的夾角
附錄5 無塵室的分級標(biāo)準(zhǔn)
參考文獻(xiàn)
